Počet záznamů: 1  

Comment on "Current routes in hydrogenated microcrystalline silicon"

  1. 1.
    SYSNO ASEP0355032
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve SCOPUS
    NázevComment on "Current routes in hydrogenated microcrystalline silicon"
    Tvůrce(i) Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
    Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
    Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Celkový počet autorů6
    Zdroj.dok.Physical Review. B - ISSN 1098-0121
    Roč. 81, č. 23 (2010), 237301/1-237301/4
    Poč.str.4 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaconductive atomic force microscopy ; oxidation ; microcrystalline silicon
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPLC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd
    LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    IAA100100902 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    EID SCOPUS77956321290
    DOI10.1103/PhysRevB.81.237301
    AnotaceWe show that local currents observed by the conductive atomic force microscopy (C-AFM) of silicon thin films measured in ambient atmosphere are generally limited by surface oxide, either native or created by the measurement itself in a process of local anodic oxidation. The tip-induced oxidation changes character of the local current maps, either in repeated scans or even in the first scan of a pristine surface. In particular, the preoxidation of the neighboring scan lines leads to the appearance of grain edges as conductive rings, previously interpreted as an evidence of the main transport route at the grain boundaries in microcrystalline silicon. We also show that stripping of the surface oxide by HF etch restores the local currents to the values corresponding to C-AFM done in ultra-high-vacuum on in situ deposited samples.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.