Počet záznamů: 1
Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů
- 1.
SYSNO ASEP 0354185 Druh ASEP P - Patent Zařazení RIV P - Patent nebo jiný výsledek chráněný podle zvláštních právních předpisů Název Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů Překlad názvu Method of making isolated groups of microscopic silicon crystals Tvůrce(i) Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
Šípek, Emil (FZU-D)
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIRok vydání 2010 Využití jiným subj. A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence Lic. popl. Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek Číslo pat.spisu 301824 Datum udělení 24.05.2010 Vlastník patentu Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Praha 8,CZ Kód vydavatele patentu CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague Využití B - Patent je využíván na základě uzavřené licenční smlouvy mezi vlastníkem a uživatelem Jazyk dok. cze - čeština Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova silicon ; nanocrystals ; crystallization Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů v tenké vrstvě amorfního křemíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovem a podpořené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento způsob je charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního křemíku přiloží nejméně jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, načež se indukuje průchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Přitom se reguluje úroveň procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout křemíkových krystalů i menších než 100 nm, a to i při běžné pokojové teplotě. Překlad anotace Fabrication of isolated groups of microscopic silicon crystals in a thin film of amorphous silicon deposited on a metal substrates is done by employing field-enhanced metal-induced solid-phase crystallization process. This process is specific by the procedure that at least one tip-like contact from electrically conductive material is positioned on the amorphous silicon thin film and a flow of electrical current between the contact and metal substrates is induced thereafter. The current amplitude and energy dose to the sample is controlled. In this way one can fabricate silicon crystals smaller than 100 nm, even at room temperature. Growth of the crystals is accompanied by a formation of microscopic pits in the thin film. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013 Elektronická adresa http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/301/301824.pdf
Počet záznamů: 1