Počet záznamů: 1  

Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů

  1. 1.
    SYSNO ASEP0354185
    Druh ASEPP - Patent
    Zařazení RIVP - Patent nebo jiný výsledek chráněný podle zvláštních právních předpisů
    NázevZpůsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů
    Překlad názvuMethod of making isolated groups of microscopic silicon crystals
    Tvůrce(i) Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
    Šípek, Emil (FZU-D)
    Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Rok vydání2010
    Využití jiným subj.A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
    Lic. popl.Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek
    Číslo pat.spisu301824
    Datum udělení24.05.2010
    Vlastník patentuFyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Praha 8,CZ
    Kód vydavatele patentuCZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
    VyužitíB - Patent je využíván na základě uzavřené licenční smlouvy mezi vlastníkem a uživatelem
    Jazyk dok.cze - čeština
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovasilicon ; nanocrystals ; crystallization
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPLC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd
    LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    AnotaceZpůsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů v tenké vrstvě amorfního křemíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovem a podpořené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento způsob je charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního křemíku přiloží nejméně jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, načež se indukuje průchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Přitom se reguluje úroveň procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout křemíkových krystalů i menších než 100 nm, a to i při běžné pokojové teplotě.
    Překlad anotaceFabrication of isolated groups of microscopic silicon crystals in a thin film of amorphous silicon deposited on a metal substrates is done by employing field-enhanced metal-induced solid-phase crystallization process. This process is specific by the procedure that at least one tip-like contact from electrically conductive material is positioned on the amorphous silicon thin film and a flow of electrical current between the contact and metal substrates is induced thereafter. The current amplitude and energy dose to the sample is controlled. In this way one can fabricate silicon crystals smaller than 100 nm, even at room temperature. Growth of the crystals is accompanied by a formation of microscopic pits in the thin film.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2013
    Elektronická adresahttp://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/301/301824.pdf
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.