Počet záznamů: 1
Anisotropic magnetoresistance of GaMnAs ferromagnetic semiconductors
- 1.
SYSNO ASEP 0353864 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Anisotropic magnetoresistance of GaMnAs ferromagnetic semiconductors Tvůrce(i) Vašek, Petr (FZU-D) RID
Svoboda, Pavel (FZU-D)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Jurka, Vlastimil (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Orlita, Milan (FZU-D)
Maude, D. K. (FR)Zdroj.dok. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. - : Springer - ISSN 1557-1939
Roč. 23, č. 6 (2010), 1161-1163Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova GaMnAs ; anisotropic magnetoresistance ; hydrogenation Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd MEB020928 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000278580900067 DOI 10.1007/s10948-010-0664-5 Anotace The angular dependence of the magnetoresistance has been studied for two sets of samples: annealed and hydrogenated, respectively. Differend behaviour of magnetoresistance anisotropy has been discussed in terms of change of scattering rate and/or introduction of stain during treatment. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1