Počet záznamů: 1
Directly grown nanocrystalline diamond field-effect transistor microstructures
- 1.
SYSNO ASEP 0353839 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Directly grown nanocrystalline diamond field-effect transistor microstructures Tvůrce(i) Kozak, Halyna (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Sensor Letters - ISSN 1546-198X
Roč. 8, č. 3 (2010), s. 482-487Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova nanocrystalline diamond ; microstructures ; atomic force microscopy ; surface conductivity ; field-effect transistor Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy IAAX00100902 GA AV ČR - Akademie věd KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000278291700020 DOI 10.1166/sl.2010.1298 Anotace Nanocrystalline diamond microscopic structures (5 μm width) are grown directly on Si/SiO2 substrates by patterning of a nucleation layer using photolithography prior to the diamond growth. The diamond microstructures exhibit clear transistor characteristics in both solid-state and solution-gated field-effect transistor configurations. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1