Počet záznamů: 1
Defects in Ce-doped LuAG and YAG scintillation layers grown by liquid phase epitaxy
- 1.
SYSNO ASEP 0353507 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Defects in Ce-doped LuAG and YAG scintillation layers grown by liquid phase epitaxy Tvůrce(i) Kučera, M. (CZ)
Nitsch, Karel (FZU-D) RID
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hanuš, M. (CZ)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Radiation Measurements. - : Elsevier - ISSN 1350-4487
Roč. 45, 3-6 (2010), s. 449-452Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova YAG ; LuAG ; Ce-doping garnet ; liquid phase epitaxy ; luminescence Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN300100802 GA AV ČR - Akademie věd GA202/08/0893 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000279183200059 DOI 10.1016/j.radmeas.2009.12.031 Anotace Epitaxial Lu3Al5O12 (LuAG) and Y3Al5O12 (YAG) garnet layers doped by Ce ions were grown by the liquid phase epitaxy. The effect of the flux composition, growth conditions, and substrate polishing on the layer morphology, creation of defects, and on optical and emission properties of layers was studied. The defects typical of the epitaxial growth are discussed. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1