Počet záznamů: 1
The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene
- 1.
SYSNO ASEP 0353061 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene Tvůrce(i) Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
Reina-Cecco, A. (US)
Farhat, H. (US)
Kong, J. (US)
Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCID
Dresselhaus, M. S. (US)Zdroj.dok. ACS Nano. - : American Chemical Society - ISSN 1936-0851
Roč. 4, č. 10 (2010), s. 6055-6063Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova graphene ; Raman spectroscopy ; spectroelectrochemistry Vědní obor RIV CG - Elektrochemie CEP IAA400400911 GA AV ČR - Akademie věd IAA400400804 GA AV ČR - Akademie věd KAN200100801 GA AV ČR - Akademie věd ME09060 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC203/07/J067 GA ČR - Grantová agentura ČR GAP204/10/1677 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z40400503 - UFCH-W (2005-2011) UT WOS 000283453700075 DOI 10.1021/nn1010914 Anotace Electrochemical charging has been applied to study the influence of doping on the intensity of the various Raman features observed in chemical vapor-deposition-grown graphene. Three different laser excitation energies have been used to probe the influence of the excitation energy on the behavior of both the G and G' modes regarding their dependence on doping. The intensities of both the G and G' modes exhibit a significant but different dependence on doping. While the intensity of the G' band monotonically decreases with Increasing magnitude of the electrode potential (positive or negative), for the G band a more complex behavior has been found. The striking feature is an increase of the Raman intensity of the G mode at a high value of the positive electrode potential. Furthermore, the observed increase of the Raman intensity of the G mode is found to be a function of laser excitation energy. Pracoviště Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského Kontakt Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1