Počet záznamů: 1
The structure and growth mechanism of Si nanoneedles prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
- 1.
SYSNO ASEP 0352722 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název The structure and growth mechanism of Si nanoneedles prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition Tvůrce(i) Červenka, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Bakardjieva, Snejana (UACH-T) SAI, RID, ORCID
Hruška, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Nanotechnology. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0957-4484
Roč. 21, č. 41 (2010), 415604/1-415604/7Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova nanoneedles ; nanowires ; silicon ; plasma ; chemical vapor deposition ; crystal structure ; growth ; phonon ; SEM ; Raman Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) AV0Z40320502 - UACH-T (2005-2011) UT WOS 000281958600017 DOI 10.1088/0957-4484/21/41/415604 Anotace Silicon nanowires and nanoneedles show promise for many device applications in nanoelectronics and nanophotonics, but the remaining challenge is to grow them at low temperatures on low-cost materials. Here we present plasma-enhanced chemical vapor deposition of crystalline/amorphous Si nanoneedles on glass at temperatures as low as 250 °C. High resolution electron microscopy and micro-Raman spectroscopy have been used to study the crystal structure and the growth mechanism of individual Si nanoneedles. The H2 dilution of the SiH4 plasma working gas has caused the formation of extremely sharp nanoneedle tips that in some cases do not contain a catalytic particle at the end. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1