Počet záznamů: 1
Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons
- 1.
SYSNO ASEP 0352508 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons Tvůrce(i) Hovorka, Miloš (UPT-D)
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCIDCelkový počet autorů 2 Zdroj.dok. Proceedings of 5th Japan-China-Norway Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology. - Toyama : University of Toyama, 2010 - ISBN 978-4-9903248-2-7 Rozsah stran s. 15-18 Poč.str. 4 s. Akce JCNCS2010 /5./ Japan-China-Norway Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology Datum konání 12.09.2010-15.09.2010 Místo konání Toyama Země JP - Japonsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. JP - Japonsko Klíč. slova semiconductors ; dopant contrast ; very low energy SEM Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace Mapping of the p-type dopant in an n-type silicon substrate was studied on a planar structure composed of variously sized doped patterns of various dopant densities. The traditional imaging by means of secondary electrons and its quantifiability was verified and the method was extended to the very low energy range. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1