Počet záznamů: 1

Properties of Bi LMIS with ion clusters

SYSNO ASEP	0350670
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Properties of Bi LMIS with ion clusters
Tvůrce(i)	Radlička, Tomáš (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI}
Celkový počet autorů	1
Zdroj.dok.	Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. - Brno : Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i, 2010 / Mika F. - ISBN 978-80-254-6842-5
Rozsah stran	s. 57-58
Poč.str.	2 s.
Akce	International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /12./
Datum konání	31.05.2010-04.06.2010
Místo konání	Skalský dvůr
Země	CZ - Česká republika
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CZ - Česká republika
Klíč. slova	SIMS ; liquid–metal ion sources (LMIS) ; discrete coulomb interactions (DCI)
Vědní obor RIV	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Další zdroj	rámcový projekt EK
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
UT WOS	000290773700021
Anotace	The ion beams used in SIMS are produced by liquid–metal ion sources (LMIS) which provide fine, optically bright ion beams even for low emission currents around 1 .mu.A or less. The typical energy of the primary beam varies from 10 to 40 keV. The properties of the LMIS are strongly limited by the effect of the Discrete Coulomb Interactions (DCI) near the source. The DCI increase the energy width (Boersh effect) and decrease the brightness of the source due to the trajectory displacement effect. Contrary to the Ga LMIS which contains mostly only Ga+ ions, in case of the Bi LMIS the ion beam consists of several ion types and clusters of ions with similar currents. Because each ion type has different charge and mass they will be accelerated to different velocities, which increase the number of interactions and decreases the quality of the source. The aim of this contribution is a simulation of the effect of the clusters on the source properties based on the MC simulation.
Pracoviště	Ústav přístrojové techniky
Kontakt	Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
Rok sběru	2011

Počet záznamů: 1