Počet záznamů: 1
Imaging of dopants under presence of surface ad-layers
- 1.
SYSNO ASEP 0350664 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Imaging of dopants under presence of surface ad-layers Tvůrce(i) Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Hovorka, Miloš (UPT-D)
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCIDCelkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. - Brno : Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i, 2010 / Mika F. - ISBN 978-80-254-6842-5 Rozsah stran s. 35-36 Poč.str. 2 s. Akce International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /12./ Datum konání 31.05.2010-04.06.2010 Místo konání Skalský dvůr Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova scanning electron microscopy ; semiconductor structures ; image contrast ; dopant concentration ; secondary electron emission Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GP102/09/P543 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) UT WOS 000290773700012 Anotace Scanning electron microscopy is widely used for imaging of semiconductor structures. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Quantitative relation exists between the image contrast and the dopant concentration. However, further examination has shown the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of ad-layers on the semiconductor surface. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1