Počet záznamů: 1
High hydrogen dilution and low substrate temperature cause columnar growth of hydrogenated amorphous silicon
- 1.
SYSNO ASEP 0347839 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název High hydrogen dilution and low substrate temperature cause columnar growth of hydrogenated amorphous silicon Tvůrce(i) Bronsveld, P.C.P. (NL)
Mates, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Rath, J.K. (NL)
Schropp, R.E.I. (NL)Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : Applications and Materials Science. - : Wiley - ISSN 1862-6300
Roč. 207, č. 3 (2010), s. 525-529Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova hydrogenated amorphous silicon ; columnar growth ; cross-sectional transmission electron microscope (X-TEM] Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000276339800005 DOI 10.1002/pssa.200982847 Anotace Columnar growth was observed in the amorphous part of mixed phase layers deposited at very low substrate temperatures. The width of the columns and the layer thickness at which they are first distinguishable in a cross-sectional transmission electron microscope (X-TEM) image, about 120 nm, is similar for the substrate temperature range of 40–100 °C, but the columns are less well developed when either the substrate temperature is increased or the dilution ratio is lowered. This growth behaviour and the incubation layer are attributed to hydrogen-induced surface diffusion of growth precursors resulting in an amorphous–amorphous roughness transition. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1