Počet záznamů: 1
Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation
- 1.
SYSNO ASEP 0346873 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation Tvůrce(i) Lavrentiev, Vasyl (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Vacík, Jiří (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Vorlíček, Vladimír (FZU-D) RID
Voseček, Václav (UJF-V) RIDZdroj.dok. Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972
Roč. 247, č. 8 (2010), s. 2022-2026Poč.str. 5 s. Akce 8th International Conference on Optics of Surfaces and Interfaces (OSI-VIII) Datum konání 07.09.2009-11.09.2009 Místo konání Ischia Země IT - Itálie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova ion implantation ; Raman spectra ; Rutherford backscattering spectroscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA200480702 GA AV ČR - Akademie věd IAA400100701 GA AV ČR - Akademie věd KAN400480701 GA AV ČR - Akademie věd GA106/09/1264 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000281092600031 DOI 10.1002/pssb.200983932 Anotace Si (111) covered by a 250-nm thick SiO2 surface layer has been disordered through implantation of 3.035 MeV gold ions within broad range of fluences from 1 x 10(13) ions/cm(2) to 1 x 10(16) ions/cm(2). Raman spectroscopy (514.5 nm laser) was applied for characterization of the silicon disordering. Variation of the Raman spectra of silicon after low-fluence implantation (fluences lower than 5 x 10(14) ions/cm(2)) in the vicinity of the transverse optical phonon (1TO) peak reflects the coexistence of bulk Si crystals (c-Si) and Si nanocrystals (nc-Si) in the implanted layer. Implantation with higher fluences yields only the stable 470 cm(-1) 1TO peak, corresponding to formation of amorphous phase (a-Si), in this region of the spectra. Detailed analysis of the silicon disorder was performed through calculation of the transverse acoustical phonon (1TA) peak area. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1