Počet záznamů: 1

Germanium nanowires prepared from (SiMe3)3GeH and (GeMe3)2

SYSNO ASEP	0346639
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Germanium nanowires prepared from (SiMe3)3GeH and (GeMe3)2
Tvůrce(i)	Šubrt, Jan (UACH-T)_{SAI, RID} Dřínek, Vladislav (UCHP-M)_{RID, ORCID, SAI} Fajgar, Radek (UCHP-M)_{RID, ORCID, SAI} Klementová, Mariana (UACH-T)_{RID, SAI, ORCID}
Zdroj.dok.	Acta Microscopica - ISSN 0798-4545 Roč. 18, Supp C (2009), s. 77-78
Poč.str.	2 s.
Akce	Inter-American Congress on Electron Microscopy 2009 /10./
Datum konání	25.10.2009-28.10.2009
Místo konání	Rosario
Země	AR - Argentina
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	VE - Venezuela
Klíč. slova	germanium ; silicon
Vědní obor RIV	CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
CEP	GA203/09/1088 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z40320502 - UACH-T (2005-2011)
	AV0Z40720504 - UCHP-M (2005-2011)
Anotace	Germanium and silicon are semiconductors produced industrially on a large scale.Some advantages in the electronic structure and production technology boosted up silicon in the electronic component industry.
Pracoviště	Ústav anorganické chemie
Kontakt	Jana Kroneislová, krone@iic.cas.cz, Tel.: 311 236 931
Rok sběru	2011

Počet záznamů: 1