Počet záznamů: 1
Analysis of the resonant tunneling diode with the stepped pre-barrier
- 1.
SYSNO ASEP 0346107 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Analysis of the resonant tunneling diode with the stepped pre-barrier Tvůrce(i) Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Voves, J. (CZ)Zdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1742-6588
Roč. 193, č. 1 (2009), s. 1-4Poč.str. 4 s. Akce 16th International Conference on Electron Dynamics In Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructure Datum konání 24.8.2009 – 28.8.2009 Místo konání Monpellier Země FR - Francie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova Resonant tunneling diodes ; Nonequilibrium Green functions ; Hysteresis Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP KJB200670901 GA AV ČR - Akademie věd KAN401220801 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000277100400007 Anotace Resonant-tunnelling diodes (RTD) incorporating an emitter stepped pre-barrier are studied both theoretically and experimentally. The simulation of I-V characteristics of modified AlAs-GaAs double barrier RTD grown by molecular beam epitaxy with the stepped pre-barrier is presented. An 1D quantum transport simulator Wingreen based on the nonequilibrium Green functions (NEGF) is used in our case. Our result show that the coupling between energy levels in the emitter quantum-well and the main quantum well leads to the plateau behaviour of the I-V curves. The two plateau regions on the I-V characteristics have been observed in experimental and simulation results. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1