Počet záznamů: 1
Single shot damage mechanism of Mo/Si multilayer optics under intense pulsed XUV-exposure
- 1.
SYSNO ASEP 0342469 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Single shot damage mechanism of Mo/Si multilayer optics under intense pulsed XUV-exposure Tvůrce(i) Khorsand, A.R. (NL)
Sobierajski, R. (PL)
Louis, E. (NL)
Bruijn, S. (NL)
van Hattum, E.D. (NL)
van de Kruijs, R.W.E. (NL)
Jurek, M. (PL)
Klinger, D. (PL)
Pelka, J. B. (PL)
Juha, Libor (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Burian, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Chalupský, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
Cihelka, Jaroslav (FZU-D)
Hájková, Věra (FZU-D) RID, ORCID
Vyšín, Luděk (FZU-D) RID, ORCID
Jastrow, U. (DE)
Stojanovic, N. (DE)
Toleikis, S. (DE)
Wabnitz, H. (DE)
Tiedtke, K. (DE)
Sokolowski-Tinten, K. (DE)
Shymanovich, U. (DE)
Krzywinski, J. (US)
Hau-Riege, S. (US)
London, R. (US)
Gleeson, A. (GB)
Gullikson, E.M. (US)
Bijkerk, F. (NL)Zdroj.dok. Optics Express. - : Optical Society of America - ISSN 1094-4087
Roč. 18, č. 2 (2010), 700-712Poč.str. 13 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova laser damage ; thermal effects ; multilayers ; optical design and fabrication ; free-electron lasers Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery CEP KAN300100702 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LC528 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LA08024 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy IAA400100701 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100523 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000273860400032 DOI 10.1364/OE.18.000700 Anotace We investigated single shot damage of Mo/Si multilayer coatings exposed to the intense fs XUV radiation at the Free-electron LASer facility in Hamburg - FLASH. The interaction process was studied in situ by XUV reflectometry, time resolved optical microscopy, and "post-mortem" by interference-polarizing optical microscopy (with Nomarski contrast), atomic force microscopy, and scanning transmission electron microcopy. An ultrafast molybdenum silicide formation due to enhanced atomic diffusion in melted silicon has been determined to be the key process in the damage mechanism. The influence of the energy diffusion on the damage process was estimated. The results are of significance for the design of multilayer optics for a new generation of pulsed (from atto- to nanosecond) XUV sources. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1