Počet záznamů: 1
Ultrasharp Si nanowires produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition
- 1.
SYSNO ASEP 0341570 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Ultrasharp Si nanowires produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition Tvůrce(i) Červenka, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Výborný, Zdeněk (FZU-D)
Holovský, Jakub (FZU-D) RID, ORCID
Hruška, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Physica Status Solidi : Rapid Research Letters. - : Wiley - ISSN 1862-6254
Roč. 4, 1-2 (2010), s. 37-39Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova nanowires ; silicon ; scanning electron microscopy ; hemical vapor deposition ; Raman spectroscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000275226400022 DOI 10.1002/pssr.200903348 Anotace Conical silicon nanowires have been grown by gold nanoparticle catalyzed plasma-enhanced chemical vapor deposition. This method produces Si nanowires with a very fast growth rate (1 μm/min) and unique sharpness (< 10 nm). Raman spectroscopy has proved the presence of both crystalline and amorphous Si in the grown Si nanowire layer. The fast growth process of Si nanowires with dimensions below 10 nm holds promises in various applications in electronics, photovoltaics and atomic force microscopy. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1