Počet záznamů: 1

Fabrication of poly(3-hexylthiophene) self-switching diodes using thermal nanoimprint lithography and argon milling

SYSNO ASEP	0341424
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Fabrication of poly(3-hexylthiophene) self-switching diodes using thermal nanoimprint lithography and argon milling
Tvůrce(i)	Kettle, J. (GB) Whitelegg, S. (GB) Song, M. (GB) Madec, M. B. (GB) Yeates, S. (GB) Turner, M. L. (GB) Kotačka, L. (CZ) Kolařík, Vladimír (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI}
Celkový počet autorů	8
Zdroj.dok.	Journal of Vacuum Science & Technology B. - : American Institute of Physics - ISSN 1071-1023 Roč. 27, č. 6 (2009), s. 2801-2804
Poč.str.	4 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	argon ; milling ; nanolithography ; organic semiconductors ; semiconductor diodes
Vědní obor RIV	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP	GA102/05/2325 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
UT WOS	000272803400095
DOI	10.1116/1.3253606
Anotace	In this article, the fabrication of poly(3-hexylthiophene) self-switching diodes (SSDs) is described. The unique design of the SSD enables it to be fabricated from a single layer of semiconductor material with a single lithographic step using nanoimprint lithography combined with argon milling. The resultant device morphology showed good uniformity and the SSDs exhibited pronounced current rectification and wide working voltage range.
Pracoviště	Ústav přístrojové techniky
Kontakt	Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
Rok sběru	2010

Počet záznamů: 1