Počet záznamů: 1
Inversion of conductivity type of III-V compound layers in experiments with LPE growth from rare-earth containing melts
- 1.
SYSNO ASEP 0341232 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Inversion of conductivity type of III-V compound layers in experiments with LPE growth from rare-earth containing melts Tvůrce(i) Šrobár, Fedor (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)Zdroj.dok. Crystal Research and Technology - ISSN 0232-1300
Roč. 44, č. 6 (2009), s. 597-602Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova semiconductors Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA102/09/1037 GA ČR - Grantová agentura ČR GA102/06/0153 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000267101200004 DOI 0.1002/crat.200900051 Anotace Rare-earth (RE) elements present in the growth melt of the LPE process are known to have a purifying effect on the grown layers of III-V compounds. The RE atoms exhibit high chemical affinity to shallow donors. The aim of this paper is to simulate the sometimes observed situation where the gradual gettering of donor impurity leads to an inversion of the electrical conductivity type of the grown layer from n to p. Usefulness of the approach is demonstrated by interpreting results of experimental work. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1