Počet záznamů: 1
InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band
- 1.
SYSNO ASEP 0337368 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band Překlad názvu Struktura s InAs/GaAs kvantovými tečkami emitující na 1.55 μm Tvůrce(i) Hazdra, P. (CZ)
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Komarnitskyy, V. (CZ)
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 8 Zdroj.dok. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1757-8981
Roč. 6, č. 1 (2009), 012007/1-012007/4Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova quantum dots ; InAs ; GaAs ; photoluminescence Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd GA202/09/0676 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) DOI 10.1088/1757-899X/6/1/012007 Anotace We investigated different capping layers covering InAs quantum dot structures grown on GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy in order to receive strong photoluminescence at 1.55 μm. Analysis of photoluminescence and microscopy data supported by calculation of quantum dot electron states shows that this is caused both by the change of the electronic-barrier structure and by the increase of the height of the overgrown quantum dots. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1