Počet záznamů: 1

Etching enhanced annealing of GaMnAs layers

SYSNO ASEP	0337274
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Etching enhanced annealing of GaMnAs layers
Překlad názvu	Zvýšení účinnosti žíhaní GaMnAs pomocí leptání
Tvůrce(i)	Olejník, Kamil (FZU-D)_{RID, ORCID} Novák, Vít (FZU-D)_{RID, ORCID} Cukr, Miroslav (FZU-D) Mašek, Jan (FZU-D)_RID Jungwirth, Tomáš (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	5
Zdroj.dok.	Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248 Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2151-2154
Poč.str.	4 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	surface processes ; molecular beam epitaxy ; magnetic materials
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
	GEFON/06/E001 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000265659300127
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2008.10.051
Anotace	We have studied the annealing process of GaMnAs enhanced by etching off the surfaře oxide layer.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2010

Počet záznamů: 1