Počet záznamů: 1
Etching enhanced annealing of GaMnAs layers
- 1.
SYSNO ASEP 0337274 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Etching enhanced annealing of GaMnAs layers Překlad názvu Zvýšení účinnosti žíhaní GaMnAs pomocí leptání Tvůrce(i) Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Mašek, Jan (FZU-D) RID
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 5 Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2151-2154Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova surface processes ; molecular beam epitaxy ; magnetic materials Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd GEFON/06/E001 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000265659300127 DOI https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.10.051 Anotace We have studied the annealing process of GaMnAs enhanced by etching off the surfaře oxide layer. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1