Počet záznamů: 1
Core level photoemission and STM characterization of Ta/Si(111)-7x7 interfaces
- 1.
SYSNO ASEP 0336680 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Core level photoemission and STM characterization of Ta/Si(111)-7x7 interfaces Překlad názvu Fotoemise z vnitřních hladin a STM charakterizace rozhraní Ta/Si(111)-7x7 Tvůrce(i) Shukrynau, Pavel (FZU-D)
Dudr, Viktor (FZU-D)
Švec, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Vondráček, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Mutombo, Pingo (FZU-D) RID, ORCID
Skála, T. (IT)
Šutara, F. (CZ)
Matolín, V. (CZ)
Prince, K. C. (IT)
Cháb, Vladimír (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 10 Zdroj.dok. Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0039-6028
Roč. 603, č. 3 (2009), s. 469-476Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova tantalum ; silicon ; silicide ; aAdsorption ; photoelectron spectroscopy ; scanning tunneling microscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010413 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000263736400009 DOI 10.1016/j.susc.2008.12.003 Anotace We present the results of scanning tunneling microscopy (STM) and photoemission spectroscopy (PES) of the Ta/Si(111)-7x7 system after deposition of Ta at substrate temperatures from 300 to 1250 K. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1