Počet záznamů: 1
LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition
- 1.
SYSNO ASEP 0336628 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition Tvůrce(i) Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Honda, Shinya (FZU-D)
Drbohlav, Ivo (FZU-D) RID, ORCID
Mates, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hruška, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
Roč. 517, č. 24 (2009), s. 6829-6832Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova amorphous hydrogenated silicon ; atomic force microscopy ; plasma-enhanced chemical vapour deposition, ; nucleation ; Raman scattering ; lithium fluoride Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd GD202/05/H003 GA ČR - Grantová agentura ČR LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy IAA1010413 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000270410800063 DOI 10.1016/j.tsf.2009.05.022 Anotace Lithium fluoride (Lif) thin film evaporated on glass substrate is shown to enhance the nucleation of microcrystalline Si grown by plasma enhanced chemical vapour deposition at the amorphous/microcrystalline boundary conditions. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1