Počet záznamů: 1
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs
- 1.
SYSNO ASEP 0336403 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs Překlad názvu Zahřívání substrátu vlivem absorpce na volných nosičích přiepitaxním růstu GaMnAs Tvůrce(i) Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)Celkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2132-2134Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova GaMnAs ; MBE ; diluted magnetic semiconductors Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd GEFON/06/E001 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000265659300122 DOI doi:10.1016/j.jcrysgro.2008.09.034 Anotace Dramatic increase of the substrate temperature during the epitaxial growth of GaMnAs has been observed and explained in terms of radiative heating via free carrier absorption. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1