Počet záznamů: 1

Microscopic mechanism of the noncrystalline anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As

SYSNO ASEP	0336033
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Microscopic mechanism of the noncrystalline anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As
Překlad názvu	Mikroskopický mechanizmus nekrystalické anizotropni magnetorezistence v GaMnAs
Tvůrce(i)	Výborný, Karel (FZU-D)_{RID, ORCID} Kučera, Jan (FZU-D)_RID Sinova, J. (US) Rushforth, A.W. (GB) Gallagher, B. L. (GB) Jungwirth, Tomáš (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	6
Zdroj.dok.	Physical Review. B - ISSN 1098-0121 Roč. 80, č. 16 (2009), 165204/1-165204/8
Poč.str.	8 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	anisotropic magnetoresistance ; diluted magnetic semiconductors
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	KJB100100802 GA AV ČR - Akademie věd
	KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
	GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000271352100072
DOI	10.1103/PhysRevB.80.165204
Anotace	Starting with a microscopic model based on the Kohn-Luttinger Hamiltonian and kinetic p-d exchange combined with Boltzmann formula for conductivity we identify the scattering from magnetic Mn combined with the strong spin-orbit interaction of the GaAs valence band as the dominant mechanism of the anisotropic magnetoresistance (AMR) in (Ga,Mn)As. This fact allows to construct a simple analytical model of the AMR consisting of two heavy-hole bands whose charge carriers are scattered on the impurity potential of the Mn atoms. The model predicts the correct sign of the AMR (resistivity parallel to magnetization is smaller than perpendicular to magnetization) and identifies its origin arising from the destructive interference between electric and magnetic part of the scattering potential of magnetic ionized Mn acceptors when the carriers move parallel to the magnetization.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2010

Počet záznamů: 1