Počet záznamů: 1
Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover
- 1.
SYSNO ASEP 0335755 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover Překlad názvu Intra-atomární reorganizace náboje na Pb-Si rozhraní: vazebný mechanismus při nízkém pokrytí Tvůrce(i) Švec, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Dudr, Viktor (FZU-D)
Vondráček, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Jelínek, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Mutombo, Pingo (FZU-D) RID, ORCID
Cháb, Vladimír (FZU-D) RID, ORCID
Šutara, F. (CZ)
Matolín, V. (CZ)
Prince, K. C. (IT)Zdroj.dok. Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0039-6028
Roč. 603, č. 18 (2009), s. 2861-2869Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova density functional calculations ; green´s functional methods ; synchrotron radiation photoelectron spectroscopy x-ray scattering ; lead ; silicon Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010413 GA AV ČR - Akademie věd IAA100100616 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000270640700006 DOI 10.1016/j.susc.2009.07.033 Anotace We performed both experimental and theoretical study of dynamical fluctuation of Pb adatoms between up and down positions which is connected with the charge redistribution in the basic triangular bipyramid formed by an adsorbed Pb atom and its four closest Si neighbors. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1