Počet záznamů: 1
Profiling of N-Type Dopants in Silicon Based Structures
- 1.
SYSNO ASEP 0335293 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Profiling of N-Type Dopants in Silicon Based Structures Tvůrce(i) Hovorka, Miloš (UPT-D)
Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Mikulík, P. (CZ)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Proceedings of the 4th Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology (CJCS’09). - Brno : ISI AS CR, 2009 / Pokorná Zuzana ; Mika Filip - ISBN 978-80-254-4535-8 Rozsah stran s. 14 Poč.str. 1 s. Akce CJCS’09 - Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology /4./ Datum konání 10.08.2009-14.08.2009 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova n-type substrate ; SEM ; PEEM ; doping levels Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GP102/09/P543 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA100650803 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace We have focused on variously doped n-type pattems on a lightly doped p-type substrate because of lack of data for these structures. We have designed and prepared planar structures of this kind at the university clean room. Combination of the UHV SEM and PEEM microscooes should facilitate possible quantifying of the the doping levels in the n-type areas and explanation of their contrast with respect to the p-type substrate. In addition to the SEM observations at very low energies (down to the units of eV), we performed the laterally resolved threshold and soft X-ray spectroscopies in a PEEM equipped with an energy filter. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1