Počet záznamů: 1
Profiling of N-type dopants in silicon structures
- 1.
SYSNO ASEP 0335261 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Profiling of N-type dopants in silicon structures Tvůrce(i) Hovorka, Miloš (UPT-D)
Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCIDCelkový počet autorů 3 Zdroj.dok. MC 2009 - Microscopy Conference: First Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Conference on Microscopy. - Graz : Verlag der Technischen Universität, 2009 - ISBN 978-3-85125-062-6 Rozsah stran vol. 1: 181-182 Poč.str. 2 s. Akce MC 2009 - Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Congress on Microscopy /9./ Datum konání 30.08.2009-04.09.2009 Místo konání Graz Země AT - Rakousko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. AT - Rakousko Klíč. slova silicon ; dopants ; PEEM ; SEM Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GP102/09/P543 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA100650803 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace Among the dopant profiling techniques the scanning electron microscopy (SEM) reached position of a well established method which offers a high spatial resolution and good sensitivity to dopant concentration. Differently doped areas exhibit a contrast depending on the dopant level and surface conditions. Photoemission electron microscopy (PEEM) is a surface-sensitive alternative providing a high sensitivity to the dopant density. Both methods have already been successfully applied in imaging and characterization of the doped silicon structures. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1