Počet záznamů: 1
Problems with synthesis of chalcopyrite CuIn.sub.1-x./sub. B.sub.x./sub.Se.sub.2./sub..
- 1.
SYSNO ASEP 0334334 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Problems with synthesis of chalcopyrite CuIn1-x BxSe2. Překlad názvu Problémy při syntéze chalkopyritu CuIn1-x BxSe2. Tvůrce(i) Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Darveau, S.A. (US)
Exstrom, C.L. (US)
Soukup, R. J. (US)
Ianno, N.J. (US)
Kamler, C.A. (US)
Huguenin-Love, J.L. (US)Celkový počet autorů 7 Zdroj.dok. Materials Science Forum - ISSN 0255-5476
Roč. 609, - (2009), s. 33-36Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova CuIn1-x BxSe2 ; CIBS ; selenization ; solar cells Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100522 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000264750100004 DOI 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.33 Anotace Thin films of CuIn1-xBxSe2 (CIBS) as absorption layer in single-junction solar cells can potentially grant a higher band gap in comparison with other studied chalcopyrite materials like CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) and CuIn1-xAlxSe2 (CIAS). The higher band gap near optimum value ~ 1.4 eV can help to achieve higher efficiency (today 19.5% for CuIn0.74Ga0.26Se2.). In this paper are described first results of experiments with effort to produce CIBS films by selenization of CuInB precursor alloy in Se vapors. Resulting material was analyzed by Raman spectroscopy, X-ray diffraction, and Auger electron spectroscopy. Measurements show that formation of CIBS layer is complicated by forming of pure CuInSe2 layer with unwanted Cu2-xSe phases and by accumulation boron near to the substrate. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1