Počet záznamů: 1
Optical gain at the F-band of oxidized silicon nanocrystals
- 1.
SYSNO ASEP 0331758 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Optical gain at the F-band of oxidized silicon nanocrystals Překlad názvu Optický zisk F-bandu v oxidovaných křemíkových nanokrystalech Tvůrce(i) Dohnalová, Kateřina (FZU-D) RID, ORCID
Žídek, Karel (FZU-D)
Ondič, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
Kůsová, Kateřina (FZU-D) RID, ORCID
Cibulka, Ondřej (FZU-D) RID
Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Journal of Physics D-Applied Physics. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0022-3727
Roč. 42, č. 13 (2009), 135102/1-135102/5Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova silicon nanocrystals ; optical gain Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA101120804 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KJB100100903 GA AV ČR - Akademie věd GA202/07/0818 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000267219000011 DOI 10.1088/0022-3727/42/13/135102 Anotace In this paper we present time-resolved optical gain spectroscopy using the variable stripe length technique in combination with the shifting excitation spot technique under pumping with nanosecond laser pulses. Measurements reveal positive optical gain on a nanosecond time scale at 430 nm (F-band). Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1