Počet záznamů: 1

Time-resolved photoluminescence spectroscopy of the initial oxidation

SYSNO ASEP	0331693
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Time-resolved photoluminescence spectroscopy of the initial oxidation
Překlad názvu	Časově rozlišená fotoluminiscenční spektroskopie počáteční fáze oxidace malých křemíkových nanokrystalů
Tvůrce(i)	Dohnalová, Kateřina (FZU-D)_{RID, ORCID} Kůsová, Kateřina (FZU-D)_{RID, ORCID} Pelant, Ivan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951 Roč. 94, č. 21 (2009), 211903/1-211903/3
Poč.str.	3 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	silicon nanocrystals ; photoluminescence ; oxidation
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	IAA101120804 GA AV ČR - Akademie věd
	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	KJB100100903 GA AV ČR - Akademie věd
	GA202/07/0818 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000266500400014
DOI	10.1063/1.3141481
Anotace	In this paper we study the influence of progressing oxidation on the photoluminescence spectra of small silicon nanocrystals (SiNCs). H-terminated SiNCs exhibit only a fast approximately nanosecond photoluminescence component at about 525 nm, quenched and redshifted to about 550 nm by progressing oxidation. At the same time a new approximately microsecond photoluminescence component appears, intensity of which progressively increases and its peak position redshifts continuously from 575 up to 660 nm. We interpret our observations in terms of the quasidirect core electron-hole pair recombination quenched by the ultrafast trapping into the oxygen-related surface/interface states, forming within the band gap due to oxidation.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2010

Počet záznamů: 1