Počet záznamů: 1
Some controversial points related to transport in microcrystalline silicon
- 1.
SYSNO ASEP 0331483 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Some controversial points related to transport in microcrystalline silicon Překlad názvu Několik kontroverzních otázek vztahujících se k transportu v mikrokrystalickém křemíku Tvůrce(i) Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Philosophical Magazine. - : Taylor & Francis - ISSN 1478-6435
Roč. 89, 28-30 (2009), s. 2557-2571Poč.str. 15 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova electronic transport ; microcrystalline silicon ; grain boundary Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd IAA1010413 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000271871300013 DOI 10.1080/14786430903025724 Anotace The results of effective medium theories are compared with the dc dark electrical conductivity for a number of undoped thin film Si series. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1