Počet záznamů: 1
A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics
- 1.
SYSNO ASEP 0331194 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics Překlad názvu Nový typ kvaziohmické metalizace v semiizolačním GaAs Tvůrce(i) Dubecký, F. (SK)
Zat'ko, B. (SK)
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Gombia, E. (IT)
Boháček, P. (SK)
Huran, J. (SK)
Sekáčová, M. (SK)Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002
Roč. 607, č. 1 (2009), 132-134Poč.str. 3 s. Akce International Workshop on Radiation Imaging Detectors /10./ Datum konání 29.06.2008-03.07.2008 Místo konání Helsinki Země FI - Finsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova GaAs ; semi-insulating ; metal-semiconductor contact ; Schottky barrier ; work function Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010404 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000268987900039 DOI 10.1016/j.nima.2009.03.191 Anotace Using low work function metals (In, Gd, Mg) quasi-ohmic non-alloyed contacts to SI-GaAs radiation detectors have been fabricated and their I-V characteristic have been measured. Unusual transport properties of these contacts are discussed. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1