Počet záznamů: 1
Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots
- 1.
SYSNO ASEP 0330529 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots Překlad názvu Ultrarychlá fotoluminiscenční spektroskopie InAs/GaAs kvantových teček Tvůrce(i) Neudert, K. (CZ)
Trojánek, F. (CZ)
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Malý, P. (CZ)Zdroj.dok. Physica Status Solidi C : Current Topics in Solid State Physics - ISSN 1862-6351
Roč. 6, č. 4 (2009), 853-856Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova quantum dots ; photoluminescence ; MOVPE Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000266597600017 DOI DOI 10.1002/pssc.200880597 Anotace We used ultrafast PL spectroscopy to study the carrier dynamics in the energy of states of the double layer InAs/GaAs QD structure with large spacer distance (30 nm) emitting at 1.3 μm at room temperature. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1