Počet záznamů: 1

Gallium-lanthanum-sulphide amorphous thin films prepared by pulsed laser deposition

SYSNO ASEP	0329448
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Gallium-lanthanum-sulphide amorphous thin films prepared by pulsed laser deposition
Překlad názvu	Amorfní tenké vrstvy Ga-La-S připravené pulzní laserovou depozicí
Tvůrce(i)	Němec, P. (CZ) Nazabal, V. (FR) Pavlišta, M. (CZ) Moreac, A. (FR) Frumar, M. (CZ) Vlček, Milan (UMCH-V)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	6
Zdroj.dok.	Materials Chemistry and Physics. - : Elsevier - ISSN 0254-0584 Roč. 117, č. 1 (2009), s. 23-25
Poč.str.	3 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CN - Čína
Klíč. slova	chalcogenides ; thin film
Vědní obor RIV	CA - Anorganická chemie
CEZ	AV0Z40500505 - UMCH-V (2005-2011)
UT WOS	000269291500006
DOI	10.1016/j.matchemphys.2009.05.037
Anotace	Thin amorphous sallium-lanthanum-sulphide films were prepared by pulsed laser deposition method. The prepared layers were characterized in terms of the structure, chemical composition and optical properties. The photo-and thermally induced phenomena were studied.
Pracoviště	Ústav makromolekulární chemie
Kontakt	Eva Čechová, cechova@imc.cas.cz ; Tel.: 296 809 358
Rok sběru	2010

Počet záznamů: 1