Počet záznamů: 1
Crystallographic properties of grain size-controlled polycrystalline silicon thin films deposited on alumina substrate
- 1.
SYSNO ASEP 0324621 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Crystallographic properties of grain size-controlled polycrystalline silicon thin films deposited on alumina substrate Překlad názvu Krystalografické vlastnosti tenkých vrstev polykrystalického křemíku s řízenou velikostí zrna na safírových podložkách Tvůrce(i) Ogane, A. (JP)
Honda, Shinya (FZU-D)
Uraoka, Y. (JP)
Fuyuki, T. (JP)
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 311, č. 3 (2009), s. 789-793Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova crystallites ; defects ; chemical vapor deposition processes ; solar cells Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000264161700088 DOI 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.098 Anotace In order to obtain higher performance of polycrystalline silicon (poly-Si) thin film devices, crystallinity of poly-Si thin films should be enhanced. In this study, films with thickness of 10 [mu]m heading for the solar cell application were thermally deposited onto alumina substrates with in-situ grain size controlling by using the intermittent source gas supply method to reduce grain boundaries. By changing source gas supply condition, the grain size was controlled in the range of a few [mu]m to over 10 [mu]m. Improvement of crystallinity of could be observed with grain size enlargement. The peak position and width of Raman TO-LO peak at around 520 cm-1 of small-grained sample showed larger shift from ideal value of c-Si, but becoming closer to c-Si with grain size enlargement, indicating stress relaxation. In PL measurement, intensity of TO-BE peak which indicates the crystallinity increased with grain size enlargement and resulted in carrier mobility from 20 to 40 cm2/V s. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1