Počet záznamů: 1  

Comparative study of electrical properties of nano to polycrystalline diamond films

  1. 1.
    SYSNO ASEP0319787
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevComparative study of electrical properties of nano to polycrystalline diamond films
    Překlad názvuStudium elektrických vlastnosti nano a polykrystalických vrstev diamantu
    Tvůrce(i) Vojs, M. (SK)
    Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Ižák, T. (SK)
    Škriniarová, J. (SK)
    Novotný, I. (SK)
    Valent, P. (SK)
    Michalka, M. (SK)
    Kováčik, T. (SK)
    Veselý, M. (SK)
    Zdroj.dok.Journal of Physics: Conference Series. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1742-6588
    Roč. 100, č. 5 (2008), 052097/1-052097/4
    Poč.str.4 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovamicrowave plasma CVD ; hot filament CVD ; electrical measurements
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    DOI10.1088/1742-6596/100/5/052097
    AnotaceDiamond films were grown by Microwave Plasma (MP) and Hot Filament chemical Vapor Deposition (HF CVD) on Si substrates. The dependence of electrical properties on the film morphology was studied. The surface morphology of grown layers was analyzed by scanning electron microscopy. The different crystallographic character of diamond layers, i.e. either polycrystalline or nanocrystalline, was achieved by using different deposition conditions. Lower-quality diamond films were less sensitive to variation in the operating conditions. The film break-down voltage and other electrical parameters strongly depend on the morphological character, the grain size and defects in layers.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2009
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.