Počet záznamů: 1
Magnetism in GaN: Gd, Dy thin layers
- 1.
SYSNO ASEP 0315822 Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Název Magnetism in GaN: Gd, Dy thin layers Překlad názvu Magnetismus v tenkých vrstvách GaN: Gd, Dy Tvůrce(i) Sofer, Z. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Buchal, C. (DE)
Hardtdegen, H. (DE)
Mikulics, M. (DE)
Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Maryško, Miroslav (FZU-D) RID
Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Václavů, M. (CZ)Zdroj.dok. 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials Book of Abstracts. - Dresden : Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungzentrum Dresden-Rossendorf, 2008
S. 439-439Poč.str. 1 s. Akce 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials Datum konání 31.08.2008-05.09.2008 Místo konání Dresden Země DE - Německo Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova magnetic semiconductors ; III–V semiconductors ; ion implantation of rare earth Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) AV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011) Anotace We present a complex study of Gd and Dy implanted GaN layers grown by low pressure MOVPE on c-plane sapphire substrate. Gd and Dy ions were implanted with energies of 200 keV and fluences ranging from 5x1013 to 4x1017 atoms.cm-2. The chemical composition and concentration profiles of implanted ions layers were studied by SIMS and RBS. Magnetic behaviour was investigated using Quantum Design MPMS and DSM10 susceptometer. Implanted layers exhibit ferromagnetic behaviour persisting up to 720 K. Based on the fact that the samples are electrically conducting we speculate that the ferromagnetism can be associated with doped electrons mediating the ferromagnetic interaction between local moments on Gd and Dy. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1