Počet záznamů: 1
Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM
- 1.
SYSNO ASEP 0308202 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM Překlad názvu Tvorba dvourozměrných profilů dopantu s níkoenergiovým SEM Tvůrce(i) Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCIDZdroj.dok. Journal of Microscopy. - : Wiley - ISSN 0022-2720
Roč. 230, č. 1 (2008), s. 76-83Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova dopant contrast ; low energy SEM ; semiconductors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/05/2327 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) UT WOS 000254614600011 Anotace The scanning electron microscope has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, intimate examination shows a low reproducibility of the contrast level for a particular local difference between the doping rates. Data about dynamic behaviour of the dopant contrast and its dependence on the status of the sample surface are presented. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2008
Počet záznamů: 1