Počet záznamů: 1
Novel approaches to LPE preparation of high quality of InP semiconductor layers for radiation detectors
- 1.
SYSNO ASEP 0304201 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Novel approaches to LPE preparation of high quality of InP semiconductor layers for radiation detectors Tvůrce(i) Procházková, Olga (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Grym, Jan (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)Rok vydání 2003 Zdroj.dok. Book of Abstracts 1st International Meeting on Applied Physics
s. 201Poč.str. 1 s. Akce APHYS-2003 /1./ Druh akce K - Konference Datum konání 13.10.2003-18.10.2003 Místo konání Badajoz Země ES - Španělsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. ES - Španělsko Klíč. slova rare earth compounds ; photoluminescence ; Hall effect Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/03/0379 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace The preparation and characterization of thick InP layers by LPE with admixture of Ce, Tb, Dy and Yb is reported. Measaurement of temperature dependent Hall effect, C-V characteristics and photoluminescence spectra show the change of n-p type conductivity and considerable improvement of structural and electro-optical parameters for all studied rare-earth elements. Mn was identified as dominant acceptor impurity in the case of Tb and Dy addition. In the case of Ce and Yb the dominant acceptor was identified as isoelectronic Ce or Yb on the In site. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2004
Počet záznamů: 1