Počet záznamů: 1
The comparison of the influence of Pr, Nd and Tb on the characteristics of InP epitaxial layers
- 1.
SYSNO ASEP 0303870 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název The comparison of the influence of Pr, Nd and Tb on the characteristics of InP epitaxial layers Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Žďánský, Karel (URE-Y)Rok vydání 2001 Zdroj.dok. Jaszowiec 2001
s. 59Poč.str. 1 s. Akce International School on the Physics of Semiconducting Compounds /30./ Druh akce K - Konference Datum konání 01.06.2001-08.06.2001 Místo konání Ustron-Jaszowiec Země PL - Polsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. PL - Polsko Klíč. slova liquid phase epitaxial growth ; rare earth compounds ; III-V semiconductors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace The behaviour and the impact of individual rare-earth elements (REE) used in the InP LPE growth process were compared. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a significant dependence on the presentace of REE. The dislocation density was reduced by a half order of magnitude. The concentration of shallow impurities was reduced by up to three orders of magnitude. When increasing the concentration of Pr or Tb in the growth melt the reversal of electrical conductivity occurs. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1