Počet záznamů: 1  

Preparation and properties of thick intentionally undopted GaInP/GaAs layers

    1.
    SYSNO ASEP0303468
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevPreparation and properties of thick intentionally undopted GaInP/GaAs layers
    Tvůrce(i) Nohavica, Dušan (URE-Y)
    Gladkov, Petar (URE-Y)
    Žďánský, Karel (URE-Y)
    Pospíšil, S. (ed.)
    Smith, K.M. (ed.)
    Wilhelm, I. (ed.)
    Zdroj.dok.Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002
    Roč. 434, No 1 Special Issue (1999), s. 164-168
    Poč.str.5 s.
    AkceInternational Workshop on Gallium Arsenide and Related Compounds /6./
    Datum konání22.06.1998-26.06.1998
    Místo konáníPrague
    ZeměCZ - Česká republika
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovaIII-V semiconductors ; photoluminescence ; semiconductor doping
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPIAA1010807 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z2067918 - URE-Y
    PracovištěÚstav fotoniky a elektroniky
    KontaktPetr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
    Rok sběru2000

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše