Počet záznamů: 1
Application of low-energy backscattered electron detection in the inspection of semiconductor devices technology
- 1.
SYSNO ASEP 0205322 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Application of low-energy backscattered electron detection in the inspection of semiconductor devices technology Tvůrce(i) Hutař, Otakar (UPT-D)
Oral, Martin (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Romanovský, Vladimír (UPT-D)Zdroj.dok. Jemná mechanika a optika. - : Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. - ISSN 0447-6441
Roč. 45, č. 10 (2000), s. 271-272Poč.str. 2 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP IBS2065017 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2065902 - UPT-D Anotace The low energy backscattered electron (BSE) detector, equipped with an electrostatic immersion lens for the retardation of the primary electron beam (PE) was elaborated and used for the imaging of surface semiconductor device specimens in a commercial SEM. Despite the signal of BSE is generally lower than that obtained using secondary electrons (SE), the achieved results predestine this BSE detection method as a suitable tool for the inspection of fine structures of semiconductor devices and linewidth measurements of critical dimensions (CD). Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1