Počet záznamů: 1
Novel critical field in magneto-resistance oscillation of 2DEG in asymmetric GaAs/Al.sub.0.3./sub.Ga.sub.0.7./sub.As double wells measured as a function of the in-plane magnetic field
- 1.
SYSNO ASEP 0134639 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Novel critical field in magneto-resistance oscillation of 2DEG in asymmetric GaAs/Al0.3Ga0.7As double wells measured as a function of the in-plane magnetic field Tvůrce(i) Svoboda, Pavel (FZU-D)
Krupko, Yuriy (FZU-D)
Smrčka, Ludvík (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Jansen, L. (FR)Zdroj.dok. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. - : Elsevier - ISSN 1386-9477
Roč. 12, - (2002), s. 315-318Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova double-layer two-dimensional electron system ; magnetotransport Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/01/0754 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace We have investigated the magnetoresistance of strongly asymmetric double-well structure formed by a thin Al0.33Ga0.7As barrier grown far from the interface in the GaAs buffer of standard heterostructures. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2004
Počet záznamů: 1