Počet záznamů: 1
Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping
- 1.
SYSNO ASEP 0133068 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping Tvůrce(i) Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Krištofik, Jozef (FZU-D) RID
Mareš, Jiří J. (FZU-D) RID, ORCID
Malý, Jan (FZU-D)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 88, č. 11 (2000), s. 6488-6494Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/99/0410 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA1010806 GA AV ČR - Akademie věd IAA1010807 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Delta(Si)-doped GaAs samples grown by metalorganic vapor phase epitaxy are studied by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy techniques. A ditailed analysis of the DLTS signal is performed. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1