Počet záznamů: 1
Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor
- 1.
SYSNO ASEP 0109047 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor Překlad názvu Tvorba kontrastu při zobrazení dopovaného polovodiče v nízkoenergiovém REM Tvůrce(i) Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCIDZdroj.dok. Proceedings of the 9th International Seminar Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. - Brno : Institute of Scientific Instruments AS CR, 2004 / Müllerová I. - ISBN 80-239-3246-2 Rozsah stran s. 51-52 Poč.str. 2 s. Akce Recent Trends /9./ in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation Datum konání 12.07.2004-16.07.2004 Místo konání Skalský Dvůr Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova low energy SEM ; doped semiconductor Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP KJB2065301 GA AV ČR - Akademie věd Anotace Functional details of semiconductor structures keep decreasing in size. Among the structure elements the locally doped patterns play crucial role so that tools are needed for their observation. For fast diagnosis and quality check of the semiconductor structures the scanning electron microscope is useful because of its wide range of magnification, availability of different signal modes, speed of data acquisition and nondestructive nature of the technique in general, especially at low voltage operations. The dopant concentration in semiconductor is quantitatively determined via acquisition of signal of the secondary electron (SE) emission in such a way that the image contrast is measured between areas of different type or rate of doping Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1