Počet záznamů: 1
Modernizovaný elektronový litograf pro optické difraktivní struktury
- 1.
SYSNO ASEP 0094701 Druh ASEP Z - Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda/plemeno Zařazení RIV Z - Poloprovoz, ověřená technol., odrůda, plemeno, léčebný postup Název Modernizovaný elektronový litograf pro optické difraktivní struktury Překlad názvu Electron-beam writing system for diffractive optical elements Tvůrce(i) Horáček, Miroslav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Matějka, František (UPT-D) RID, SAI
Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAIRok vydání 2006 Int.kód 65701 Lokalizace výsledku Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. Technické parametry Urychlovací napětí elektronové trysky 15 kV. Ekonomické parametry Elektronový litograf BS601M byl nainstalován ve firmě Optaglio v červenci roku 2006 kde nahradil obdobné zastaralé zařízení s horšími parametry. Název vlastníka Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. IČ vlastníka 68081731 Kat.výsl.dle nákl. A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč Využití jiným subj. A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence Lic. popl. A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Jazyk dok. cze - čeština Země vlastníka CZ - Česká republika Klíč. slova electron beam writing system ; diffractive optical element Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace Elektronový litograf BS601M je elektronově-optické zařízení vyvinuté a optimalizované pro výrobu difraktivních optických struktur. Na elektronovém litografu se přímou ezpozicí elektronovým svazkem do rezistu naneseného na Si-podložce exponují mikrostruktury, které se používají jako mastery v následné technologii výroby holografických struktur. Elektronový litograf pracuje s konstantním urychlovacím napětím 15 kV, pravoúhlým tvarovatelným svazek od (50 H 50) nm do (3150 H 3150) nm s krokem 50 nm, s vychylovacím polem (3 H 3) mm s krokem 50 nm a s maximální exponovatelná oblast je (100 H 80) mm. Rychlost typické expozice (600 mil. razítek H 30 H 30 mm) je 2.5 hodiny. Překlad anotace Electron beam writing system BS601M is an electron-optical device designed and optimised for exposure of diffraction optical elements. The electron beam writing system produces microstructures by direct exposure of electron resist on Si substrate. These microstructures are used as a masters in a technology of holographic structurures production. Electron beam writing system uses fixed energy of 15 keV, a shaped rectangular variable-size electron beam ranging from (50 H 50) nm do (3150 H 3150) nm with step 50 nm, a scan field (3 H 3) mm with deflection step 50 nm and maximum area of exposure (100 H 80) mm. Typical exposure takes 2.5 hours (600 mil. stamps H 30 mm H 30 mm ). Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2008
Počet záznamů: 1