Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors
1.
SYSNO ASEP
0094674
Druh ASEP
J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV
J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J
Ostatní články
Název
Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors
Překlad názvu
Řízené vytváření sítě porů ve polovodivých fosfídech
Tvůrce(i)
Delimitis, A. (GR) Komninou, Ph. (GR) Kehagias, Th. (GR) Pavlidou, E. (GR) Karakostas, Th. (GR) Gladkov, Petar (URE-Y) Nohavica, Dušan (URE-Y)
Zdroj.dok.
Journal of Porous Materials. - : Springer
- ISSN 1380-2224
Roč. 15, č. 1 (2008), s. 75-81
Poč.str.
7 s.
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
NL - Nizozemsko
Klíč. slova
porous semiconductors ; electrochmical analysis ; transmission electron microscopy ; scanning electron microscopy
Vědní obor RIV
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP
GA202/06/1315 GA ČR - Grantová agentura ČR
ME 697 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
CEZ
AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011)
Anotace
A well organized network of CLO pores was revealed on (100) plane of InP illustrating the effectiveness of the electrochemical dissolution technique. The applied current /voltage was found to be the crucial parameter that affects the pore size, geometry and propagation towards the bulk material. TEM revealed that CLO pore formation initiates by merging of the smaller CO pores in the nucleation layer. Monitoring of the direction of pores by carefully designed etching, producing thus alternating arrays of CLO and CO pores.
