Počet záznamů: 1  

Microwave and hot filament chemical vapour deposition of diamond multilayers on Si and WC-Co substrates

  1. 1.
    SYSNO ASEP0054689
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevMicrowave and hot filament chemical vapour deposition of diamond multilayers on Si and WC-Co substrates
    Překlad názvuChemická depozice z plynné fáze využívající mikrovlnný výboj nebo žhavené vlákno diamantových multivrstev na Si a WC-Co substrátech
    Tvůrce(i) Kadlečíková, M. (SK)
    Vojs, M. (SK)
    Breza, J. (SK)
    Veselý, M. (SK)
    Frgala, Z. (CZ)
    Michalka, M. (SK)
    Matějková, Jiřina (UPT-D)
    Vojačková, A. (SK)
    Daniš, T. (SK)
    Marton, M. (SK)
    Zdroj.dok.Microelectronics Journal. - : Elsevier - ISSN 0026-2692
    Roč. 38, č. 1 (2007), s. 20-23
    Poč.str.4 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovachemical vapour deposition ; nanocrystalline diamond ; Raman spectroscopy ; scanning electron microscopy
    Vědní obor RIVBL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
    CEPGA202/05/0607 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
    UT WOS000243832300004
    DOI10.1016/j.mejo.2006.10.006
    AnotaceA serious problem in the use of chemical-vapour-deposited polycrystalline diamond coatings in electronics, optics as well as in cutting tools is the high surface roughness. In our work, microcrystalline and nanocrystalline diamond films with a thickness of 0.5–5 .mu.m were deposited using microwave chemical vapour deposition (MW CVD), and with a thickness of 1–4 .mu.m by hot filament chemical vapour deposition (HF CVD). For both deposition technologies, we investigated the effect of a negative bias upon the formation of microcrystalline and nanocrystalline diamond multilayers. In the cases of smooth Si and relief WC–Co substrate surfaces, the multilayers were found to have a "cauliflower" look. The structure and composition of deposited layers were checked by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy.
    PracovištěÚstav přístrojové techniky
    KontaktMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Rok sběru2007
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.