Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0050961
Druh ASEP	K - Konferenční příspěvek (lokální konf.)
Zařazení RIV	Záznam nebyl označen do RIV
Název	Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM
Překlad názvu	Dopant contrast imaged with SE in SEM
Tvůrce(i)	Mika, Filip (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID} Frank, Luděk (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID}
Zdroj.dok.	Mikroskopie 2006. - Praha : Československá mikroskopická společnost, 2006 S. 37
Poč.str.	1 s.
Akce	Mikroskopie 2006
Datum konání	16.02.2006-17.02.2006
Místo konání	Nové Město na Moravě
Země	CZ - Česká republika
Typ akce	CST
Jazyk dok.	cze - čeština
Země vyd.	CZ - Česká republika
Klíč. slova	dopant contrast ; SEM
Vědní obor RIV	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
Anotace	Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí,bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ.
Překlad anotace	The dopant contrast in SEM has now been studied for more than a decade, a clear explanation of it remains a matter for the future. Generally, p-type silicon appears brighter in the secondary electron (SE) emission than n-type.
Pracoviště	Ústav přístrojové techniky
Kontakt	Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
Rok sběru	2007

Počet záznamů: 1