Počet záznamů: 1
Research of Technology Used for Fabrication of Active and Passive Waveguides on Semiconductor Base
- 1.
SYSNO ASEP 0030582 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Research of Technology Used for Fabrication of Active and Passive Waveguides on Semiconductor Base Překlad názvu Výzkum postupu pro přípravu aktivních a pasivních vlnovodů v polovodičích Tvůrce(i) Prajzler, V. (CZ)
Špirková, J. (CZ)
Oswald, J. (CZ)
Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
Hüttel, I. (CZ)
Hamáček, J. (CZ)
Machovič, V. (CZ)
Burian, Z. (CZ)Zdroj.dok. CTU reports Proceedings of Workshop 2005, 9 - A - special issue. - Prague : -, 2005 - ISBN 80-01-03201-9 Rozsah stran s. 448-449 Poč.str. 2 s. Akce Workshop 2005 Datum konání 01.03.2005-02.03.2005 Místo konání Prague Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova doped galium nitride ; magnetron sputering ; surface analyses Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače CEP GA104/03/0385 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) Anotace The magnetron sputtering was used to fabricate RE doped GaN layers fabricated by magnetron sputtering on various substrate using a gaseous mixture of nitrogen and argon as precursors. The doping of the GaN films with RE occurred simultaneously with the sputtering process when placing the metal RE pellets or RE powder onto the Ga2O3 target. The amount of the incorporated erbium increased with increasing weight of the RE pellets or RE powder. We observed photoluminescence emission at 1 550 nm due to the 4I13/2 → 4I15/2 transition under excitation at 488 nm and 980 nm. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2006
Počet záznamů: 1